Samsung paziņoja par 16 gigabitu DDR5 DRAM atmiņas masveida ražošanas sākšanu, kurā tiek izmantots nozarē progresīvākais 12 nanometru klases tehnoloģiskais process. Modernākā ražošanas procesa pabeigšana vēlreiz apliecina uzņēmuma vadību Samsung progresīvu DRAM tehnoloģiju jomā.
Salīdzinot ar iepriekšējo paaudzi, jaunā RAM Samsung 5nm klases DDR12 DRAM samazina enerģijas patēriņu par 23%, vienlaikus palielinot vafeļu veiktspēju par 20%. Izcilā energoefektivitāte padara to par ideālu risinājumu globāliem IT uzņēmumiem, kas vēlas samazināt savu serveru un datu centru enerģijas patēriņu un oglekļa pēdas nospiedumu.
attīstību Samsung 12 nm procesa tehnoloģija ir iespējama, izmantojot jaunu materiālu ar augstu vadītspēju, kas palīdz palielināt šūnu kapacitāti. Augstā kapacitāte rada ievērojamas atšķirības datu signālu elektriskajos potenciālos, kas atvieglo to precīzu atšķiršanu. Uzņēmuma centieni samazināt darba spriegumu un samazināt troksni arī palīdzēja radīt klientiem nepieciešamo optimālo risinājumu.
Ar maksimālo ātrumu 7,2 gigabiti sekundē, kas nozīmē, ka aptuveni sekundē var apstrādāt divas 30 GB UHD filmas, Samsung 5 nm DDR12 DRAM līnija atbalstīs pieaugošu lietojumprogrammu sarakstu, tostarp datu centrus, mākslīgo intelektu un nākamās paaudzes skaitļošanu.
Pagājušā gada decembrī Samsung pabeidza savas 16 gigabitu DDR5 DRAM saderības ar AMD testēšanu un turpina sadarboties ar globāliem IT uzņēmumiem, lai virzītu inovācijas nākamās paaudzes DRAM tirgū.
Lasi arī:
Atstāj atbildi