Paredzams, ka nākammēnes Qualcomm iepazīstinās ar Snapdragon 8 Gen 3 mikroshēmojumu, ko TSMC ražos, izmantojot savu 4nm procesu. Šī ir platforma, kas aizstās jaudīgo Snapdragon 8 Gen 2 lietojumprogrammu procesoru (AP), kas instalēts lielākajā daļā vadošo tālruņu Android. Bet arī šeit var būt pārsteigums. Dienvidkorejas resurss ir publicējis dokumentus, kurus tas apgalvo, ka ir no Qualcomm, atklājot otru mikroshēmojuma variantu.
Dokumentos minēts, ka Snapdragon 8 Gen 3 čipsetā, kā paredzēts, tiks izmantoti jaunākie Cortex-X4, Cortex-A720 un Cortex-A520 procesoru kodoli. Taču tiek arī ziņots, ka būs arī otra iespēja. Lai gan viena Snapdragon 8 Gen 3 versija tiks ražota, izmantojot TSMC 4nm procesu, otrais variants tiks ražots, izmantojot TSMC uzlaboto 3nm N3E procesu. Pašlaik ir tikai divi tālruņi, kas darbojas ar 3nm mikroshēmojumiem, kas ir iPhone 15 Pro ka iPhone 15 Pro Max.
Zemāks tehniskais process nozīmē mazāku tranzistoru izmēru. Pateicoties tam, vairāk no tiem var ietilpt nelielā vietā mikroshēmas iekšpusē, kas ļauj tai būt jaudīgākam un energoefektīvākam. Rezultātā Snapdragon 3 Gen 8 3 nm versijai vajadzētu būt vairāk tranzistoru nekā 4 nm versijai.
2022. gadā Qualcomm nomainīja Snapdragon 8 Gen 1, kas tika ražots, izmantojot 4 nm procesu. Samsung, Snapdragon 8+ Gen 1, ko uzbūvēja TSMC. Tas izrādījās labs solis, jo Snapdragon 8+ Gen 1 bija par 30% efektīvāks un nepārkarsa. Turklāt tiek ziņots, ka 4nm mezglā, ko izmanto Snapdragon 8 Gen 1 ražošanai, izvade Samsung Lietuve bija tikai 35%, bet TSMC bija 70% (ražība ir to presformu procentuālā daļa, kuras iztur kvalitātes kontroli no vienas vafeles, salīdzinot ar kopējo veidņu skaitu uz vafeles).
Nopludinātie dokumenti liecina, ka abi varianti Snapdragon 8 3. paaudze tiks atklāta tajā pašā laikā, un tam vajadzētu notikt 24. oktobrī Snapdragon samita laikā Havaju salās. Vēl nav skaidrs, vai otrajā Snapdragon 8 Gen 3 variantā tiks izmantots SD 8+ Gen 3 monikers.
Atkal abiem mikroshēmojumu variantiem būs vienāda konfigurācija. Vienīgā atšķirība starp abiem būs inženierijas process, ko izmantos katras sastāvdaļas montāžai. Bet šķiet, ka tas tā nav Galaxy Snapdragon 8 Gen 3 gadījumā, kas, domājams, ir 4nm mikroshēmas pārtaktēta versija.
Lasi arī: