Samsung Elektronika iepazīstināja ar industrijas ietilpīgākajām 12nm DDR5 DRAM 32Gb atmiņas mikroshēmām, kuras, pēc tās teiktā, ir ideāli piemērotas mākslīgā intelekta laikmetam. Pirms tam uzņēmums varēja ražot 32 Gbit mikroshēmas tikai ar TSV montāžas 16 Gbit kristāliem vienu virs otra. "Viengabala" 32 Gb DDR5 mikroshēmu izlaišana vienā iepakojumā ar 16 Gb mikroshēmām samazinās patēriņu un pavērs ceļu uz perspektīviem 1 TB atmiņas moduļiem.
Pēc aplēsēm Samsung, DDR5 mikroshēmas ar dubultu ietilpību nodrošinās par 10% mazāku 128 GB DDR5 moduļu patēriņu. Interesanti, ka par 12 nm 16 Gbit DDR5 DRAM ražošanas sākšanu uzņēmums paziņoja pavisam nesen – šī gada maijā. Pašreizējais paziņojums nenozīmē tūlītēju 32 Gbit mikroshēmu masveida ražošanas uzsākšanu. To ražošanu uzņēmums sola uzsākt tikai šī gada beigās. Sērijveidā piegādāto mikroshēmu jaudas palielināšana līdz 32 GB ļaus atmiņas ražotājiem pāriet uz masveida DDR5 moduļu izlaišanu ar tilpumu 64 GB un serveru modeļus ar tilpumu līdz 1 TB.
"Izveidojot 12 nm 32 Gb klases DRAM, esam nodrošinājuši risinājumu, kas ļaus ražot DRAM moduļus līdz 1 TB, kas dod mums ideālu iespēju apmierināt pieaugošo pieprasījumu pēc lielas ietilpības DRAM mākslīgā intelekta un lielo laikmetā. datiem," sacīja Suns. Džūns Hvangs, uzņēmuma DRAM produktu un tehnoloģiju nodaļas izpildviceprezidents. Samsung Elektronika. "Mēs turpināsim izstrādāt DRAM risinājumus, kuru pamatā ir diferencēti ražošanas procesi un dizaina tehnoloģijas, lai paplašinātu atmiņas tehnoloģiju robežas."
Šobrīd tādi atmiņas ražotāji kā SK hynix un Micron piedāvā tikai 24Gb DDR5 mikroshēmas, kas pieļauj masveida moduļus līdz 96GB, bet Samsung palielina ietilpību, piedāvājot trešo blīvāku risinājumu. Tomēr Micron ir arī apstiprinājis darbu pie 5Gb DDR32 mikroshēmām savā ceļvedī, lai gan tie vēl nav oficiāli paziņoti.
Par viņa stāstu Samsung paplašināja RAM ierobežojumus par 500 64 reižu. Uzņēmums savu pirmo (1983 Kbit) atmiņu prezentēja 40. gadā. Pēdējo XNUMX gadu laikā tas ir neticami daudz reižu palielinājis mikroshēmu jaudu, par ko tobrīd retais pat varēja domāt.
Lasi arī:
- SK hynix ir izstrādājis ātrāko atmiņu pasaulē – HBM3E ar ātrumu 1,15 TB/s
- Huawei saskaņā ar sankcijām būvē slepenu mikroshēmu rūpnīcu tīklu