.){kind=link}
Micron Technology paziņojis par 16 gigabitu DDR5 atmiņas mikroshēmu masveida ražošanas sākšanu un piegādi, kas izgatavotas pēc ražotāja vismodernākā tehnoloģiskā procesa – 1β (1-beta). Uz šīs atmiņas bāzes var izveidot RAM moduļus serveriem un personālajiem datoriem ar ātrumu līdz 7200 MT/s.
Uzņēmums paziņo, ka pāreja uz 1β procesu ar progresīvu High-K CMOS tehnoloģiju, četrfāzu pulksteņa frekvences regulēšanu un pulksteņa sinhronizāciju ļāva par 50% palielināt veiktspēju un par 33% palielināt energoefektivitāti uz vienu vatu, salīdzinot ar iepriekšējās paaudzes atmiņu. .
Palielinoties CPU kodolu skaitam, lai apmierinātu pieaugošās datu centru darba slodzes prasības, ievērojami palielinās vajadzība pēc lielākas joslas platuma atmiņas. Līdz 5 MT/s DDR7200 DRAM atmiņa, kuras pamatā ir Micron 1β process, nodrošina mērogojamu skaitļošanu ar lielāku veiktspēju tādās jomās kā mākslīgā intelekta (AI) mācīšanās un integrācija, ģeneratīvā AI, datu analīze un datu bāzes atmiņā (IMDB) datu apstrādes centros un klientu platformās.
Micron jaunās atmiņas mikroshēmas ir pieejamas 16, 24 un 32 Gbit (2, 3 un 4 GB) ietilpībā un piedāvā darbības ātrumu no 4800 līdz 7200 MT/s. Jaunā atmiņa būs pieejama gan serveru, gan patērētāju segmentā. Micron plāno paplašināt uzlabotā 1β procesa izmantošanu līdz LPDDR5x, GDDR7 un pat HBM3e atmiņas kristālu ražošanai, atzīmē ražotājs.
Lasi arī:
- Samsung gatavojas izlaišanai DDR5 atmiņas moduļi ar tilpumu 1 TB
- SK hynix izlaiž pasaulē pirmās 24 GB LPDDR5X mobilās mikroshēmas