Samsung Elektronika plāno atbrīvot 1 TB DDR5 atmiņas vienā modulī, pateicoties izrāvienam DRAM ražošanā.
Dienvidkorejas uzņēmums izstrādāta atmiņas nozarē pirmā 32 gigabitu (GB) DDR5 RAM ar lielāko ietilpību, izmantojot 12 nm procesu. Pateicoties tam Samsung varēs ražot 5TB DDR1 atmiņas moduļus, taču pārejai uz 32GB DRAM ir vēl viens ieguvums. Salīdzinot ar esošajiem 5GB DDR16 DRAM moduļiem, kas ražoti, izmantojot 12nm procesu, 128GB moduļu enerģijas patēriņš tiks samazināts par 10%.
Saskaņā ar Sang-Joon Hwan, DRAM produktu un tehnoloģiju viceprezidenta teikto Samsung Elektronika, sākotnēji galvenie šīs atmiņas patērētāji būs datu centri, mākslīgais intelekts un lielie dati: “Pateicoties mūsu 32 gigabaitu 12 nm klases DRAM atmiņai, esam ieguvuši risinājumu, kas ļaus izveidot DRAM moduļus ar apjoms līdz 1 TB, kas ļaus mums būt ideālā stāvoklī, lai apmierinātu pieaugošo vajadzību pēc lielas ietilpības RAM AI (mākslīgā intelekta) un lielo datu laikmetā… Mēs turpināsim izstrādāt DRAM risinājumus, izmantojot diferencētus ražošanas procesus un dizaina tehnoloģijas, lai paplašinātu atmiņas tehnoloģiju robežas.
Vairāk atmiņas mazākā vietā ar mazāku enerģijas patēriņu vienmēr būs populāri datu centru operatoru vidū. Tomēr šai atmiņas tehnoloģijai galu galā vajadzētu migrēt uz DDR5 moduļiem, ko izmanto mūsu galddatoros un klēpjdatoros. Pašlaik 192 GB atmiņas komplekti, kas sastāv no četriem moduļiem, šķiet, ir patērētājiem augstākais līmenis.
Lasi arī: